BAE Systems'in FAST Labs araştırma, geliştirme ve üretim organizasyonu, DARPA'nın THREADS programının 1. aşamasını tamamladı. BAE Systems, şimdi çalışmayı 2. aşama için devam ettirmek üzere destek almaya devam ediyor. THREADS, özellikle gallium nitride veya GaN cihazlarında yüksek performanslı RF elektroniklerinde sıcaklık sınırlamalarını ele almaya odaklanıyor. Program, bu cihazların daha yüksek performans seviyelerinde çalışmasına olanak tanıyan malzeme ve işlem geliştirmelerini arıyor.
"THREADS programının 2. aşamasına geçmek için sabırsızlanıyoruz" dedi BAE Systems'in FAST Labs'taki baş araştırmacı Isaac Wildeson. "1. aşama sırasında yaptığımız ilerleme, malzeme ve işlem geliştirmelerine yönelik yaklaşımımızı doğruluyor ve savaşçılarımız için RF tabanlı sistemlerin tam potansiyeline ulaşmamıza daha da yaklaştırıyor."
BAE Systems, THREADS aracılığıyla geliştirilen termal yönetim teknolojisinin, RF sistemlerinin menzilini neredeyse üç katına çıkarabileceğini söyledi. Şirket, bu geliştirmenin hem güvenlik hem de askeri personelin katılım mesafelerini artıracaktır dedi.
Çalışma, New Hampshire, Nashua'daki BAE Systems'in Microelectronics Merkezi'nde, bir Savaş Bakanlığı Kategori 1A Trusted Supplier'da yürütülüyor. Tesis, gelişmiş gallium nitride ve gallium arsenide entegre devreleri geliştiriyor ve üretiyor.
BAE Systems, programda Modern Microsystems, Penn State Üniversitesi, Stanford Üniversitesi, Notre Dame Üniversitesi ve Texas Üniversitesi'ndeki Dallas kampüsünden oluşan bir işbirliği ile çalışıyor. İşbirliği, THREADS 2. aşamasına geçerken teknoloji geliştirilmesini hızlandırmayı amaçlıyor.
